Гибридная установка для выращивания кристаллов

Name: Гибридная установка для выращивания кристаллов
SKU: 514-281

Гибридная установка обеспечивает выращивание кристаллов при температуре до 1700 °C и контроль атмосферы. ^*

*) Описание оборудования дано в том виде, в котором его подготовил иностранный производитель. Техническая и эстетическая доработка текста уже в планах инженеров отдела 91Т. Скоро мы уточним терминологию и технические характеристики, проверим нюансы и доработаем текст так, чтобы описание ЭДП-57(9Э) было исчерпывающим, а назначение и возможности оборудования — понятными и доступными. Если ждать не хочется — напишите нам вопрос прямо сейчас.

Наименование производителя

Hybrid Crystal Grower for Both CZ & Bridgman up to 1700°C W/ Atmosphere Control - OTF-1700X-PVT

Задать вопрос Искать на Baidu

Какую задачу решает установка для выращивания кристаллов

Гибридная установка для выращивания кристаллов используется для получения кристаллов методами CZ и Бриджмена.

Характеристики ЭДП-57(9Э)

Модель (по базе 91Т)ЭДП-57(9Э)

Материал—

Размер860 мм (Д) × 740 мм (Ш) × 2160 мм (В)

Установка для выращивания кристаллов - гибкость поставки.
Мы осознаём, что у каждого проекта свои особенности. В связи с этим мы можем обсудить изменение технических характеристик, типоразмеров и комплектации ЭДП-57(9Э) под условия эксплуатации (на мощностях оригинального производителя или нашего завода в России).

Дата актуализации информации: 26.09.26

Производитель и параметры оборудования проверены.